VCSEL / 激光器

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VCSEL 激光二极管的完全表征

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激光二极管和 VCSEL 推动技术发展

激光二极管已成为日常生活和工业应用中不可或缺的部分,促进了新应用和技术的发展。包括:

 

  • 消费电子产品中的人脸和手势识别
  • 车载 LiDAR(光检测和测距)
  • 采用高性能激光二极管实施材料加工
挑战: 具可追溯性且符合误差容限的激光二极管光谱测量

用于镭射二极体的测量系统必须满足以下特殊要求:

 

  • 高光谱解析度
  • 在生产中具备高输送量
  • 脉冲镭射二极体光谱测量
  • 近场测量:能以二维分析全面表征 VCSEL 阵列
  • 远场测量:可测 VCSEL 阵列的空间辐射特性

脉冲测量要求:

  • 在非常高的电流下(高达 15A),脉冲长度非常短 (≥ 1 ns)
  • 达到几千兆赫的高取样速率

 

Diversity of the characterization of VCSEL arrays

 

A wide variety of measurement tasks are required for a comprehensive characterization of VCSEL arrays.

 

Measurement Measurement variable / task

Near-field (single emitter)

Defects, position, absolute power, beam angle, single emitter wavelength >> Quality fulfillment

Far-field (array)

Spatial radiation properties >> Ensuring eye safety

VCSEL pulses

Temporal detection of pulses in the nanosecond range >> Improved signal-to-noise ratio

Spectral power

Spectrum and power >> Minimum energy consumption

Polarization

Intensity spots >> Polarization control

 
 

解决方案:Instrument Systems 的高解析度光谱仪

 

Instrument Systems 的 CAS 140CT-HR 和 CAS 120(B)-HR 高解析度阵列光谱仪是 VCSEL 测量系统中的旗舰产品。它们能够提供高达 0.12 nm 的出色光谱解析度,而且由于积分时间短,它们不仅适合在实验室中使用,还可以在生产环境中支援达到较高输送量。

 

Instrument Systems 新推出的 VTC VCSEL 测量摄像机,可对 VCSEL 阵列进行 2D 分析。它可以表征单个发射器的缺陷及其位置、功率及发射特性。结合了高解析度的 CAS 光谱辐射仪,VTC VCSEL 摄像机便可测量单个发射器的波长。再加上透射萤幕,即可将此测量系统升级为产缐专用系统,用于远场测量 VCSEL 发射器的辐射特性。若结合光强角度测试仪,例如 LGS 350,即可进行实验室的远场测量。

 

Instrument Systems 的 VCSEL 测试系统通过积分球及可溯源至 PTB 或 NIST 的光谱辐射仪来确定辐射功率。带平场校准的 VTC 摄像机,始终确保较高的测量精度。

 

PVT 110 多合一测量系统,用于测量纳秒级脉冲

 

针对 VCSEL 的纳秒脉冲测量,Instrument Systems 专门开发了 PVT 110 多合一系统。该系统通过使用不同的光电二极体进行功率测量和快速脉冲表征,且能够快速测量和分析所有产生的资料流程,应用范围非常广泛。

 

我们期待助您应对挑战 — 请随时与我们联系!

在互动式视屏中体验我们的 VCSEL 测量产品!

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